Ieee Electron Device Letters

Ieee Electron Device Letters英文簡介

IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.

Ieee Electron Device Letters中文簡介

《Ieee Electron Device Letters》是一本由IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC出版商出版的專業(yè)工程技術(shù)期刊，該刊創(chuàng)刊于1980年，刊期Monthly，該刊已被國際權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCI、SCIE收錄。在中科院最新升級版分區(qū)表中，該刊分區(qū)信息為大類學(xué)科：工程技術(shù) 2區(qū)，小類學(xué)科：工程：電子與電氣 2區(qū)；在JCR（Journal Citation Reports）分區(qū)等級為Q1。該刊發(fā)文范圍涵蓋工程：電子與電氣等領(lǐng)域，旨在及時(shí)、準(zhǔn)確、全面地報(bào)道國內(nèi)外工程：電子與電氣工作者在該領(lǐng)域取得的最新研究成果、工作進(jìn)展及學(xué)術(shù)動(dòng)態(tài)、技術(shù)革新等，促進(jìn)學(xué)術(shù)交流，鼓勵(lì)學(xué)術(shù)創(chuàng)新。2021年影響因子為4.816，平均審稿速度約1.3個(gè)月。

中科院分區(qū)最新升級版（當(dāng)前數(shù)據(jù)版本：2021年12月最新升級版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	2區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū)	否	否

JCR分區(qū)（當(dāng)前數(shù)據(jù)版本：2021-2022年最新版）

JCR分區(qū)等級	JCR所屬學(xué)科	分區(qū)	影響因子
Q1	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	Q1	4.816

期刊指數(shù)

影響因子	h-index	Gold OA文章占比	研究類文章占比	OA開放訪問	平均審稿速度
4.816	135	2.60%	100.00%	未開放	約1.3個(gè)月

IF值(影響因子)趨勢圖